| 发明名称 | 基于聚焦离子束技术深刻蚀一维光子晶体的方法 | ||
| 摘要 | 本发明在使用先进的聚焦离子束刻蚀技术加工GaN基激光器谐振腔镜面的工艺中提出了一种简洁、快速、有效的工艺步骤和方法，它包括以下三个主要步骤：计算和设计具有一维光子晶体结构的半导体/空气(DBR)反射镜的具体尺寸和容差要求，为FIB加工条件的选择提供依据；对所需加工的半导体激光二极管进行加工前处理准备。包括电接触和机械稳定性等方面的处理；根据加工要求确定合适的FIB加工条件并设计出合理的加工次序进行加工。这包括：离子束束流大小的选择；沉积保护层材料及厚度的选择；辅助刻蚀槽的设计和加工；放大倍数的选择及刻蚀图形的设计；半导体/空气(DBR)结构成型的刻蚀条件及刻蚀后处理方法等。 | ||
| 申请公布号 | CN100447945C | 申请公布日期 | 2008.12.31 |
| 申请号 | CN200510126469.0 | 申请日期 | 2005.12.13 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 徐军;章蓓;张振生;代涛 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01S5/10(2006.01);H01S5/22(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人 | 俞达成 |
| 主权项 | 1.一种基于聚焦离子束技术深刻蚀一维光子晶体的方法，具体包括以下三个步骤：1)计算和设计具有一维光子晶体结构的半导体/空气布拉格光栅的具体尺寸和容差要求，为FIB加工条件的选择提供依据；2)对所需加工的半导体样品进行加工前处理准备；3)根据加工要求确定合适的FIB加工条件并设计出合理的加工次序进行加工；这包括：离子束束流大小的选择；沉积保护层材料及厚度的选择；在一维光子晶体结构加工区的条型结构两侧开适当大小和深度的槽口；放大倍数的选择及刻蚀图形的设计；半导体/空气结构成型的刻蚀条件及刻蚀后处理方法。 | ||
| 地址 | 100871北京市海淀区颐和园路5号 | ||