| 发明名称 | 单元群组中存储单元的可变电容 | ||
| 摘要 | 一种存储单元被叙述，其包括依据在该链中的存储单元位置而有不同电容的电容器。而改变上述电容器的电容则有利于使得在该链中的所有存储单元能够具有大约相同的有效电容。 | ||
| 申请公布号 | CN100447895C | 申请公布日期 | 2008.12.31 |
| 申请号 | CN03812888.8 | 申请日期 | 2003.06.03 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司;株式会社东芝 | 发明人 | M·贾科布;N·雷姆;高岛大三郎;J·沃赫发尔特 |
| 分类号 | G11C11/22(2006.01);H01L27/108(2006.01);H01L27/115(2006.01) | 主分类号 | G11C11/22(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚;李丙林 |
| 主权项 | 1.一种集成电路，其包括：多个存储单元(3401-340x；4401-440x)，其中，一存储单元包括一电容器(3441-344x；4441-444x)，而该电容器并联地耦接至一晶体管(2421-242x；4421-442x)，并且上述存储单元彼此串联地耦接以形成具有第一以及第二端的一链群组(302；201)；以及一位线(250)，其耦接至该链群组的该第一端，其中，在一链群组中的上述不同的存储单元的上述电容器(3441-344x；4441-444x)具有不同的电容，以补偿被选择于该链群组中的不同存储单元所具有的不同电容内在负载。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||