| 发明名称 |
场发射像素管 |
| 摘要 |
本发明涉及一种场发射像素管。所述的场发射像素管包括壳体、分别设置在壳体两端的阳极与阴极，所述阴极包括碳纳米管线，所述场发射像素管还包括屏蔽极，所述屏蔽极环绕所述碳纳米管线设置。所述场发射像素管中，屏蔽极可以屏蔽阳极的高电压，降低碳纳米管线表面电场强度，使碳纳米管线在高电压下可保持小的发射电流，符合理想的场发射像素管的工作条件。 |
| 申请公布号 |
CN101335175A |
申请公布日期 |
2008.12.31 |
| 申请号 |
CN200710076271.5 |
申请日期 |
2007.06.29 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
杨远超;刘亮;姜开利;范守善 |
| 分类号 |
H01J31/15(2006.01);H01J29/02(2006.01);H01J29/04(2006.01) |
主分类号 |
H01J31/15(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1.一种场发射像素管，其包括壳体、分别设置在壳体两端的阳极与阴极，所述阴极包括碳纳米管线，所述壳体一端设置有出光部，所述阳极对应所述出光部设置，其特征在于，所述场发射像素管还包括屏蔽极，所述屏蔽极环绕所述碳纳米管线设置于壳体表面。 |
| 地址 |
100084北京市海淀区清华大学清华－富士康纳米科技研究中心310号 |
