| 摘要 |
La présente invention concerne un dispositif de lumière, et notamment un dispositif émetteur de lumière. Plus particulièrement, elle vise à obtenir un émetteur de lumière au rendement amélioré par l'utilisation de matériaux artificiels permettant d'effectuer des traitements antireflet ou haute réflectivité.A cette fin, des structures sub-longueur d'onde sont gravées sur les faces externes d'une cavité émissive, permettant de contrôler la réflectivité de ces faces.L'invention s'applique à tout émetteur de lumière et donc notamment aux lasers, et plus particulièrement encore aux lasers à cascade quantique (ou QCL pour Quantum Cascade Laser en anglais).Par ailleurs, le présent brevet indique un procédé collectif de fabrication associé.
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