| 摘要 |
L'invention concerne un transistor à effet de champ (100) comportant au moins :- une couche support (104),- une zone active (106) à base d'au moins un semi-conducteur, destinée à former un canal, disposée sur une face de la couche support (104), entre une première et une seconde grilles (112) réalisées sur ladite face de la couche support (104) et comportant chacune une première face du côté de la couche support (104) et une seconde face opposée à la première face,- un premier contact électrique (118, 122, 124) réalisé sur la seconde face de la première grille (112) et relié électriquement à la seconde face de la première grille (112), et un second contact électrique (118, 130, 132) traversant la couche support (104) et relié électriquement à la première face de la seconde grille (112) .
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