| 摘要 |
1. Полевой транзистор, содержащий электрод истока, электрод стока, изолятор затвора, электрод затвора и активный слой, причем активный слой содержит аморфный оксид, в котором концентрация электронных носителей ниже 10/см, или аморфный оксид, в котором подвижность электронов увеличивается с увеличением концентрации электронных носителей; ипо меньшей мере, один из электрода истока, электрода стока и электрода затвора является прозрачным для видимого света.2. Полевой транзистор по п.1, дополнительно содержащий металлическую проводку соединенную, по меньшей мере, с одним из электрода истока, электрода стока и электрода затвора.3. Полевой транзистор по п.1, в котором аморфный оксид представляет собой оксид, содержащий, по меньше мере, одно из In, Zn или Sn, или оксид, содержащий In, Zn и Ga.4. Полевой транзистор, содержащий электрод истока, электрод стока, изолятор затвора, электрод затвора и активный слой, причем активный слой содержит аморфный оксид, в котором концентрация электронных носителей ниже 10/см, или аморфный оксид, в котором подвижность электронов увеличивается с увеличением концентрации электронных носителей; иимеющий слоистую структуру, состоящую из первого слоя, в котором, по меньшей мере, один из электрода истока, электрода стока и электрода затвора является прозрачным для видимого света, и второй слой, состоящий из металла, илиимеющий слоистую структуру, состоящую из первого слоя, в котором проводное соединение, по меньшей мере, одного из электрода истока, электрода стока и электрода затвора является прозрачным для видимого света, и второй слой, состоящий из металла.5. Полевой транзистор, содержащий электрод ис |
