| 摘要 |
1. Полупроводниковый элемент с сильнолегированной подложкой (1), которая на одной из своих основных поверхностей имеет нанесенный металлизацией металлический слой (2), а со стороны другой своей основной поверхности соединена со слабее легированной зоной (3) с проводимостью того же типа и имеет еще один сильнее легированный слой (4) с проводимостью того же типа, а также нанесенный металлизацией металлический слой (5), образующий эту другую основную поверхность полупроводникового элемента, отличающийся тем, что на отдельных участках сильнее легированный зоны (4) предусмотрены области (6) с проводимостью обратного типа, а образующийся у второй основной поверхности полупроводникового элемента между сильнее легированной зоной (4) и зоной (6) с проводимостью обратного типа р-n-переход накоротко замкнут через нанесенный металлизацией на эту вторую основную поверхность полупроводникового элемента металлический слой (5).2. Полупроводниковый элемент по п.1, отличающийся тем, что подложка (1) выполнена из легированного сурьмой или мышьяком кремния и тем самым обладает проводимостью n-типа.3. Полупроводниковый элемент по п.1, отличающийся тем, что слабее легированная зона (3) образована эпитаксиально осажденным кремнием, легированным фосфором, и тем самым также обладает проводимостью n-типа.4. Полупроводниковый элемент по п.1, отличающийся тем, что сильнее легированная зона (4) имеет ступенчатый профиль распределения легирующих примесей.5. Полупроводниковый элемент по п.4, отличающийся тем, что сильнее легированная зона (4) содержит различные ионы, прежде всего ионы мышьяка и фосфора, расположенные в разных ее частях.6. Полупроводник� |
