PROCEDE DE FABRICATION DE CIRCUIT INTEGRE A TRANSISTORS COMPLETEMENT DEPLETES ET PARTIELLEMENT DEPLETES,申请号FR20060053524-传众专利搜索

发明名称	PROCEDE DE FABRICATION DE CIRCUIT INTEGRE A TRANSISTORS COMPLETEMENT DEPLETES ET PARTIELLEMENT DEPLETES
摘要
申请公布号	FR2905519(B1)	申请公布日期	2008.12.19
申请号	FR20060053524	申请日期	2006.08.31
申请人	STMICROELECTRONICS (CROLLES) 2 SAS;STMICROELECTRONICS SA SOCIETE ANONYME	发明人	CORONEL PHILIPPE;MARTY MICHEL
分类号	H01L27/088;H01L21/8236	主分类号	H01L27/088
代理机构		代理人
主权项
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