ION-SENSITIVE SEMICONDUCTOR SENSOR

摘要

Ein ionensensitiver Halbleitersensor zur Bestimmung von in einem fluiden Medium gelösten Analyten weist eine Halbleiterstruktur mit wenigstens einem darin integrierten Transistor auf. Der Transistor weist einen zwischen einem ersten und einem zweiten Anschluss (7, 8) liegenden Elektronenkanal (2DEG) auf, der im Grenzbereich einer ersten und einer zweiten Halbleiterschicht (4, 5) vorgesehen ist und dessen Leitfähigkeit durch das Potential von Ladungen steuerbar, die einer an die zweite Halbleiterschicht (5) angrenzenden dritten Halbleiterschicht (6) zuführbar sind. Erfindungsgemäss bestehen wenigstens die erste und zweite Halbleiterschicht (4, 5) der Halbleiterstruktur aus Material von Gruppe-Ill-Nitriden, in das zumindest partiell Atome eines Halbleiterelements der Gruppe-IV, beispielsweise Siliziumatome, eingelagert sind, wodurch die Strahlungsempfindlichkeit des Sensors reduziert wird.