| 发明名称 |
Anordnung zum Ausbilden eines Trench-MOSFETs mit Selbstausrichtungsmerkmalen |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE202004021554(U1) |
申请公布日期 |
2008.12.18 |
| 申请号 |
DE20042021554U |
申请日期 |
2004.05.14 |
| 申请人 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP. |
发明人 |
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| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/336;H01L29/417 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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