纳米硅变容二极管及其加工方法

摘要

本发明为纳米硅变容二极管。其以量子隧穿机制为主要传导机制，反向漏电流Ir为纳安(nA)量级，具有极好的温度稳定性，为此，本发明还提供了变容二极管的加工方法。其包括单晶硅基片、电极，所述基片上表面覆盖有外延层，所述基片下表面为背电极，所述外延层的外部覆盖SiO₂层，其特征在于：所述SiO₂层设置有窗口，所述窗口覆盖掺杂纳米硅薄膜的工作层，所述电极设置于所述工作层。其加工方法为，以P型或N型低电阻单晶硅为基片，在基片上生长外延层，在外延层上采用半导体平面工艺，热氧化法生长SiO₂层，在SiO₂层上再使用平面工艺光刻技术制成一排排整齐的小窗口，在SiO₂的窗口上生长一层掺杂纳米硅薄膜作为器件的工作层，然后在纳米硅层上用溅射法或蒸发形成电极，再采用光刻技术留下电极图形，然后做上表面钝化膜，最后切片封装形成产品。

主权项

1、纳米硅变容二极管，其包括单晶硅基片、电极，所述基片上表面覆盖有外延层，所述基片下表面为背电极，所述外延层的外部覆盖SiO2层，其特征在于：所述SiO2层设置有窗口，所述窗口覆盖掺杂纳米硅薄膜的工作层，所述电极设置于所述工作层。