| 发明名称 | 集成电路的结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种集成电路结构及其形成方法。该方法包括：提供衬底；形成延伸进入衬底的穿透硅通道的开口；在穿透硅通道的开口中形成凸块下金属层，其中凸块下金属层延伸至穿透硅通道的开口之外；以金属材料填充穿透硅通道；形成图案化覆盖层于前述金属材料上；以及蚀刻凸块下金属层外露于穿透硅通道的开口的一部分，其中图案化覆盖层是用来做为掩膜使用。 | ||
| 申请公布号 | CN101325166A | 申请公布日期 | 2008.12.17 |
| 申请号 | CN200810085722.6 | 申请日期 | 2008.03.13 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 黄宏麟;苏竟典;曾立鑫;郑嘉仁;游秀美 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L23/482(2006.01);H01L23/522(2006.01) | 主分类号 | H01L21/60(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 1、一种形成集成电路结构的方法，至少包含：提供一基材衬底；形成一穿透硅通道的开口，所述穿透硅通道的开口延伸进入所述衬底中；形成一凸块下金属层于所述穿透硅通道的开口中，其中所述凸块下金属层延伸至所述穿透硅通道的开口的外部；填充一金属材料于所述穿透硅通道的开口中；形成一图案化覆盖层于所述金属材料上；以及蚀刻所述穿透硅通道的开口外部的所述凸块下金属层的一部分，其中所述图案化覆盖层用作掩膜。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市新竹科学工业园区力行六路八号 | ||