| 发明名称 | 含P型三族氮化合物半导体的光电半导体元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种含P型三族氮化合物半导体的光电半导体元件的制造方法，其是先使用包含P型掺杂物的反应气体在一基材上成长三族氮化合物半导体。再将反应室降温至700到850℃之间，并通入氮气或惰性气体而使所述反应室内氨和氢被排出，同时控制所述反应室内压力降至20到80KPa之间。持续足够的时间待残留的氨和氢被排除，然后使所述反应室内温度下降到室温再取出所述基材。 | ||
| 申请公布号 | CN101325230A | 申请公布日期 | 2008.12.17 |
| 申请号 | CN200710110845.6 | 申请日期 | 2007.06.12 |
| 申请人 | 先进开发光电股份有限公司 | 发明人 | 黄世晟;涂博闵;叶颖超;徐智鹏;詹世雄 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L21/18(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 吴小瑛 |
| 主权项 | 1.一种含P型三族氮化合物半导体的光电半导体元件的制造方法，其特征在于，包含下列步骤：使用包含P型掺杂物的反应气体在一基材上成长至少一三族氮化合物半导体；将容置所述基材的反应室由控制所述三族氮化合物半导体长成的温度降至700到850℃之间；以及通入氮气或惰性气体而排除所述反应室内的氨和氢。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||