| 发明名称 | 氧化镓－氧化锌类溅射靶、透明导电膜及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种高密度氧化镓－氧化锌类烧结体溅射靶，其特征在于，含有氧化锆和氧化铝各20质量ppm以上，并且它们的总量小于250ppm。氧化镓(Ga<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>)－氧化锌(ZnO)类溅射靶(GZO类靶)是通过微量添加特定的元素而得到可以使导电性和靶的体积密度改善的靶、即通过改善成分组成而得到可以提高烧结密度、抑制结核形成并且防止异常放电及颗粒产生的靶，同时，提供使用该靶形成透明导电膜的方法以及由该方法形成的透明导电膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101326304A | 申请公布日期 | 2008.12.17 |
| 申请号 | CN200680046382.5 | 申请日期 | 2006.11.17 |
| 申请人 | 日矿金属株式会社 | 发明人 | 长田幸三 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01);C23C14/08(2006.01);C04B35/453(2006.01) | 主分类号 | C23C14/34(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王海川;樊卫民 |
| 主权项 | 1.一种高密度氧化镓-氧化锌类烧结体溅射靶，其特征在于，含有氧化锆和氧化铝各20质量ppm以上，并且它们的总量小于250ppm。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||