| 发明名称 | 防止钨插塞腐蚀的方法 | ||
| 摘要 | 一种在半导体元件的制作工艺中防止钨插塞腐蚀的方法，其中在衬底上已形成有钨插塞，且钨插塞与形成在衬底上的导线耦接。然后，利用除电装置处理衬底，以除去在导线蚀刻制作工艺中累积在导线表面上的电荷。之后，进行一湿式清洁步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN100444350C | 申请公布日期 | 2008.12.17 |
| 申请号 | CN03100239.0 | 申请日期 | 2003.01.06 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 游宗龙;马思尊;张国华 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1、一种防止钨插塞腐蚀的方法，其特征在于：该方法包括：提供形成于一衬底中的一钨插塞，该钨插塞与该衬底上的一导线耦接；利用一除电装置处理该衬底；以及进行一湿式清洁步骤。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||