发明名称 |
太阳能电池及其制造方法 |
摘要 |
根据本发明的制造太阳能电池的方法,在如下描述的在从硅单晶锭上切割的p型硅单晶基片的第一主表面上形成许多凹槽。首先,凹槽刻划刀片的刀口部分以一预定的高度,从工作台的平坦的基片进料表面上突出。p型硅单晶基片沿着基片进料表面朝着转动的凹槽刻划刀片移动,而保持其第一主表面与基片进料表面紧密接触。然后在凹槽的横着方向的如此刻划的凹槽内侧面的只有一侧上形成电极。本发明还描述了根据该制造太阳能电池的方法制造的太阳能电池。 |
申请公布号 |
CN100444414C |
申请公布日期 |
2008.12.17 |
申请号 |
CN200510116112.4 |
申请日期 |
2002.03.19 |
申请人 |
信越半导体株式会社;信越化学工业株式会社 |
发明人 |
生岛聪之;大塚宽之;高桥正俊;渡部武纪 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01);H01L21/304(2006.01) |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01) |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
钱慰民 |
主权项 |
1.一种制造太阳能电池的方法,其特征在于,包括至少在半导体基片的一个主表面上形成多个凹槽的步骤,其中凹槽刻划刀片能在保持凹槽刻划刀片的刀口部分在工作台平坦的基片进料表面上突出一预定的高度下转动,以及在半导体基片的一个主表面上刻划凹槽而保持主表面与基片进料表面的紧密接触,并沿着相对于凹槽刻划刀片的基片进料表面,在垂直于凹槽刻划刀片厚度方向的方向上移动基片。 |
地址 |
日本东京 |