Surface treatment of C-doped SiO2 film to enhance film stability during O2 ashing,申请号EP19990402072-传众专利搜索

发明名称	Surface treatment of C-doped SiO2 film to enhance film stability during O2 ashing
摘要
申请公布号	EP1077477(B1)	申请公布日期	2008.12.17
申请号	EP19990402072	申请日期	1999.08.17
申请人	APPLIED MATERIALS, INC.	发明人	XIA, LI-QUN;GAILLARD, FREDERIC;LIM, TIAN-HOC;YIEH, ELLIE
分类号	H01L21/314;C23C16/02;C23C16/40;C23C16/56;H01L21/3105;H01L21/316	主分类号	H01L21/314
代理机构		代理人
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