| 发明名称 |
Bipolar semiconductor device construction |
| 摘要 |
A single diffusion is used to provide isolation and the base for a bipolar transistor. An improved lateral transistor and higher valued epitaxial resistors also result.
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| 申请公布号 |
US3891480(A) |
申请公布日期 |
1975.06.24 |
| 申请号 |
US19730402550 |
申请日期 |
1973.10.01 |
| 申请人 |
HONEYWELL, INC. |
发明人 |
FULKERSON, DAVID E. |
| 分类号 |
H01L27/00;H01L27/06;(IPC1-7):H01L7/44 |
主分类号 |
H01L27/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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