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<P>Procédé de fabrication de transistors à effet de champ de puissance et structures de transistors résultantes. </P><P>Ce transistor est caractérisé par des régions de source 24 (et leurs contacts 42), des régions de canal 18 et une région de drain commune qui est le substrat 10 revêtu par une couche épitaxiale 12 (le contact de drain est référencé en 44). L'électrode porte est montrée en 40. </P><P>Application à l'industrie des semi-conducteurs et plus particuliérement à des transistors à effet de champ à vitesse de commutation élevée et capables de supporter des courants élevés.</P>
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