| 摘要 |
<P>L'invention concerne une méthode d'attaque gazeuse sélective d'une couche de nitrure de silicium déposée sur un support en silicium. </P><P>Afin d'éviter les inconvénients inhérents aux méthodes d'attaque gazeuse connues, selon lesquelles par exemple le support en silicium est également attaque si l'on ne procède pas à une opération supplémentaire lors de la fabrication, l'invention spécifie que l'attaque se déroule en deux étapes successives dans un milieu composé de tétrafluorure de carbone et d'oxygène. Lors de la première étape, le tétrafluorure de carbone est mélangé proportionnellement à un très faible volume d'oxygène tandis que lors de la seconde étape, le rapport volumique est égal à l'unité. </P><P>L'invention s'applique principalement dans la fabrication des composants à semi-conducteurs.</P>
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