| 发明名称 |
DISPOSITIF DE PRISE DE CONTACT SUR UN ELEMENT SEMICONDUCTEUR |
| 摘要 |
<P>L'invention a pour objet un dispositif de prise de contact sur un élément semiconducteur. </P><P>La face supérieure de l'élément en arséniure de gallium est recouverte en partie de titane formant avec l'arséniure de gallium un contact ohmique de faible résistivité. L'ensemble est recouvert d'or formant avec l'As Ga un contact ohmique de résistivité beaucoup plus élevée. Les lignes de courant sont ainsi localisées sous le titane. </P><P>L'invention s'applique tout particulièrement aux diodes << laser >>.</P>
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| 申请公布号 |
FR2394894(A1) |
申请公布日期 |
1979.01.12 |
| 申请号 |
FR19770018623 |
申请日期 |
1977.06.17 |
| 申请人 |
THOMSON CSF |
发明人 |
JEAN-CLAUDE CARBALLES ET ALAIN BODERE;BODERE ALAIN |
| 分类号 |
H01L29/45;H01L33/30;H01L33/38;H01L33/40;H01S5/22;(IPC1-7):H01L31/02;H01L31/18 |
主分类号 |
H01L29/45 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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