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<P>a. Elément dynamique de mémoire à semiconducteurs. Dans cet élément de mémoire, qui est réalisé sur une couche semiconductrice 4 au moyen de deux bandes 1 formant conducteur de mots et comportant deux bandes 5, 6 formant conducteurs de bits et situées à une distance dl de la surface du dispositif, la région semiconductrice 4 est plus fortement dopée en surface au niveau d'une zone 16, possédant au maximum une profondeur de quelques 100 nm, que dans les zones situées plus profondément. </P><P>c. Application notamment aux modules de mémoire à haute densité d'intégration.</P>
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