Storage cell for a charge transfer bucket-brigade circuit.

摘要

Die Erfindung betrifft eine Anordnung und ein Verfahren zum Herstellen einer sogenannten Eimerkettenschaltung durch eine Vereinigung eines MOS-Kondensators mit einem Metalioxide-Silicium-Feldeffekttransistor zur Bildung einer Ladungsübertragungszelle. In einem Teil einer P-leitenden Kanalzone eines Feldeffekttransistors wird anschließend an die Draindiffusionszone (104) eine dünne N-leitende Zone (107) mit einer ersten Konzentration durch Ionenimplantation hergestellt. Anschließend an die erste durch Ionenimplantation hergestellte Zone (107) wird eine zweite Zone (113) durch Ionenimplantation mit einem N-Leitung hervorrufenden Störelement mit einer zweiten Konzentration eingebracht, die geringer ist als die erste Konzentration. Die N-leitende Konzentration in der zweiten Zone (113) reicht gerade dazu aus, die P-leitende Hintergrunddotierung in der Kanalzone zu kompensieren. Durch diese Struktur wird der Ladungsübertragungswirkungsgrad für die Zelle erhöht, während gleichzeitig die Abhängigkeit der Schwellenwertspannung von der Source- und Drainspannung verringert wird. Die Gateelektrode (112) der Zelle weist eine wesentliche Überlappung über der Drainzone und eine minimale Überlappung über der Sourcezone auf, und die Drain-Gate-Kapazität je Flächeneinheit wird dadurch zu einem Maximum gemacht, daß eine gleichförmig dünne Oxidschicht (110) über der Gatezone beibehalten wird.