| 发明名称 |
METHOD OF FORMING INACTIVE LAYER ON INTEGRATED CIRCUIT DEVICE HAVING SUBSTRATE OF SEMICONDUCTOR MATERIAL |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS55121669(A) |
申请公布日期 |
1980.09.18 |
| 申请号 |
JP19800027876 |
申请日期 |
1980.03.04 |
| 申请人 |
RCA CORP |
发明人 |
MAACHIN ARUBAATO BURUMENFUERUD |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/3105;H01L21/314;H01L21/316;H01L21/768 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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