| 主权项 |
1﹒一种电子装置,包含至少一放大器,此放大器由 一第一或输入电晶体10所构成,此电晶体系直 接耦合于一第二成输出电晶体11,带着该电晶 体之装置构成一放大器称为达灵顿放大器,一第 一电阻器12系与第二电晶体之基极一射极路径 成并联,一第二电阻器15系串联包括于第二电 晶体11之射极电路中,并以第一端15A连至 射极,该装置亦包括一第三电晶体16,其集极 系连接于第一电晶体10之基极,及其射极系连 接于第二电晶体15之第二端15B,此电子装 置之特点为第三电晶体16之基梗系连接于设在 第一电阻器12上之一抽头17。 2﹒根据上述请求专利部份第1项之电子装置,其特 点为位于该抽头17及第二电晶体11之射极间 之第一电阻器12之部份12A之値对该第一电 阻器之部份12B之値之比在3与10之间。 3﹒根据上述请求专利部份第1项之电子装置,其特 点为位于该抽头17及第二电晶体11之射极间 之第一电阻器12之部份12A之电阻値以及该 第二电阻器15之电阻値系经选定,俾当放大器 正常工作时,该两元件12A,15每一元件之 电位差之和小于第三电晶体16之基极一射极临 限电压。 4﹒根据上述请求专利部份第3项之电子装置,其特 点为第一电阻器12具有约100之値,位于 该接头17之两边之该电阻器之两部份12A, 12B各具有85及15之値及第二电阻器1 5具有一约0﹒01之値。 5﹒一单石半导体装置至少包括请求专利部份第1 项 所述之一电子装置,此半导体装置系制在一半导 体晶片中,其中其厚度之方向始自上端表面或作 用表面至下端表面,所不同者为至少有一第一导 电型之晶膜层,在其中置有第一10及第二11 电晶体之射极区101,111,继之具有一第 二导电型之一晶膜层42,其中置有该等电晶体 之基极区102,112,其特点为该第一电阻 器系由第二导电型之条121状材料所形成,而 第二导电型则在第一导电型之晶膜层43中形成 ,及该电阻器在深度上伸至第二晶膜层42。 6﹒根据上述请求专利部份第3项之一半导体装置, 其特点为该第三电晶体16系整个置于第一导型 之晶膜层43中。 |
