| 摘要 |
<p>Ce dispositif comporte un transistor MOS du type tétrode qui fonctionne en régime triode. Le stockage des charges correspondant à chaque échantillon de la tension d'entrée est réalisé sous la capacité MOS ayant pour armature la grille d'isolement (G2) du transistor MOS. Les différentes grilles (G3, G1, G2) du transistor sont des demi-anneaux de surface croissante. La diode (D1) connectée à la tension d'entrée (Ve) du dispositif est placée au centre des cercles déterminant les anneaux. La diode (D2), qui est connectée à un étage suiveur de tension fournissant la tension de sortie du dispositif, est placée à la périphérie de la grille d'isolement (G2).</p> |
