| 发明名称 |
METHOD OF FORMING RECESS DIELECTRIC REGION ON SILICON SUBSTRATE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS5763843(A) |
申请公布日期 |
1982.04.17 |
| 申请号 |
JP19810094093 |
申请日期 |
1981.06.19 |
| 申请人 |
INTERN BUSINESS MACHINES CORP |
发明人 |
HANSU BAANHAADO POTSUJI |
| 分类号 |
H01L21/76;G03F7/09;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/31;H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/762 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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