| 发明名称 |
Transistor and method of fabrication to minimize surface recombination effects |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US3283223(A) |
申请公布日期 |
1966.11.01 |
| 申请号 |
US19630333882 |
申请日期 |
1963.12.27 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
WITT DAVID DE;STCHNEY THOMAS G. |
| 分类号 |
H01L21/00;H01L21/22;H01L27/082;H01L29/00;H01L29/73 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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