IMPROVED P-I-N- AND AVALANCHE PHOTODIODES,申请号EP19840307597-传众专利搜索

发明名称	IMPROVED P-I-N- AND AVALANCHE PHOTODIODES
摘要
申请公布号	EP0142316(A3)	申请公布日期	1985.07.10
申请号	EP19840307597	申请日期	1984.11.02
申请人	AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY	发明人	CHANG, GEE-KUNG;HARTMAN, ADRIAN RALPH;ROBINSON, MCDONALD
分类号	H01L31/10;H01L31/105;H01L31/107;(IPC1-7):H01L31/10	主分类号	H01L31/10
代理机构		代理人
主权项
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