| 主权项 |
1.制造式(I)新颖4-醯基间苯二酚 醚及其盐之方法: (I) 式中R1系C1-C4烷基;alk系可介 入氧之C3-或C4-羟烷撑;R2系5 -四唑基;环A为可被C1-C4-烷基 ,C1-C4-烯基,C1-C4-炔基, C1-C4-烷氧基及/或原子序不大于 35之卤素另外取代;环B可被C1-C4- 烷基,C1-C7-烷醯,C1-C4-烷氧 基,C2-C5-烷氧羰基,羧基,氰基 ,胺基甲醯,原子序不大于35之卤素 及/或三氟甲基取代;其包括: (a)使化合物(II) (II) 进行光化学的重组或在酸缩合剂存 在下,较佳在惰性溶剂中,假若适 当的话,在约-10至约+40℃冷却 或加热,或 (b)使化合物(III)和(IV)反应: (III) + R1-X2 (IV) 式中X1系向由或醚化羟基,X2 系自由或官能改质羧基;通常在酸 缩合剂存在下,惰性溶剂中较佳; 假若适当的话,在约-10至约+100 ℃冷却或加热,或 (V) (C)在化合物(V)中 式中X3系可转化为R1-C(=O)- 的残基,其可藉氧化,溶剂分解, 特殊温和水解转化之,假若必要, 在温和水解剂存在下,或和化合物 (XV)反应 R1-M (XV) 式中M金属基,假若需要,在- 60至+40℃冷却或温和加热,或 (d)在化合物(VI)式中 (VI) 式中X4系可转化为羟基的残基, 其可藉和错合金属卤化合物(XIX) 处理: MnYn (XIX) 式中M系元素周期表IIa,IIb, IIIa,IIIb,IVb,Va或VIIIb族 之多价配位未饱和金属阳离子,及 Y系原子序不超过35之卤素原子 ,或第三级有机铵盐,经由特 殊水解方式在可与水混和之有 机溶剂进行溶剂分解,假若必 要于水解剂存在下;或于氢化 催化剂存在下,使用氢气进行 氢化作用;或于酸剂或硷剂存 在下,使用醇进行反酯化,在 上述各个情况中,假若适当的 话,在溶剂或稀释剂或肋溶剂 存在下,在约0至约120℃冷 却或加热及/或在惰性气体下 完成反应,或 (e)使化合物(VII)和(VIII), (VII) (VIII) 式中X5及X6之一系自由羟基 或呈盐形式之羟基及另一为可 被反应性酯化羟基取代且可介 入氧之羟烷氧基,或可介入氧 之环氧烷氧基,于硷缩合剂存 在下反应,较佳在C1-C5-醇 ,二-C1-C4烷酮,N,N- 二-C1-C4-烷基-C1-C4- 烷醯胺或N-C1-C4-烷基 -C3-C8-烷酸内醯胺下,或 (f)在化合物(IX)中 (IX) 式中alk'系可转化为alk残基 之基团;于醇铝存在下,使用 硷金属硼氢化物,仲醇或于氢 化催化剂存在下,使用氢气进 行还原作用;及假若必要,于 约1至10巴高压及/或约20至 约60℃下加热,或以特殊的水 解,醇解,氨解或胺解进行溶 剂分解;假若必要于酸或硷剂 存在下及/或在约20至100℃下 加热,或 (g)使化合物(X)或其盐和化合 物(XI)反应: (X) (XI) 式中X7系自由羧基,或酯化 或醯胺化羧基或以 或盐形式 之羧基;假若必要在缩合剂存 在下,较佳系在硷性缩合剂, 或 (h)在化合物(XII)式中 (XII) 式中X8系可转化为所要的 -NH-C(=O)-R2之残基, 较佳为式_NH-C(=)-CN 的残基,较佳为和叠氮酸反应 将X8转化为此基者,假若必 要于惰性溶剂,密闭容器及/ 或于惰性气体,常温或约0至 约100℃下冷却或加热,及假若 希望,根据此制法将得到化合 物转化为式I之另一化合物及 /或将所得自由化合物转变成 盐,或将所得盐转化成自由化 合物或另一盐。2.根据请求专利部份第1项之制法, 包 含使用任一阶段所得之中间体为开始 物质,然后进行其余步骤,或采用盐 及/或消旋体或对映体形式为开始物 质,或尤其是在反应条件下形成开始 物质之体系。3.根据请求专利部份第1或2项之制法 ,其特征为制造式I化合物其中R1为 C1-C4-烷基;alk为C3-或C4-羟 基-烷撑,C3-或C4-羟基-(氧) -烷撑或C3-或C4羟基-(二氧) -烷撑,其中羟基是接在相对于自由 键的-以上及-以下之位置,而 且是在相对于氧基的-以上之位置 ,该氧基若存在时,则在相对于向由 键的-以上及(-1)以下之位 置;及R2系5-四唑基;环A可被 C1-C4-烷基,C1-C4-烯基, C1-C4-炔基,C1-C4-烷氧基及/ 或原子序不大于35之卤另外取代;及 环B可被C1-C4-烷基,C1-C4-烷 醯,C1-C4-烷氧基,C2-C5-烷氧 羰基,胺基甲醯,羧基,氰基,原子 序不大于35之卤及/或三氟甲基另外 取代及其盐类。4.根据请求专利部份第1或2项之制 法 ,其特征为制造式Ia或Ib化合物及 其盐类: (Ia) (Ib) 式中R1系C1-4低级烷基;R2系5- 四唑基;R3系C1-4低级烷基;R4系 氢,C1-4低级烷基,C1-4低级烷氧基 或原子序不于35之卤;R5系氢, C1-4低级烷基,原子序不大于35之卤 ,或三氟甲基;R6系氢,C1-4低级烷 基,C1-4低级烷氧基,氰基,或原子 序不大于35之卤;及R7系氢,C1-4低 级烷基,原子序不大于35之卤,C1-5 低级烷氧羟基,羧基,氰基或C1-7低 级烷醯,及alk系末端连接之羟-C3 -或C4-低级烷撑,其中自由键乃接 在相对于羟基之碳原子-位置上。5.根据请求专 利部份第1或2项之制法 ,其特征为制造式Ia化合物其中R1 系C1-4低级烷基;R3系C1-4低级线 性烷基;R2系5-四唑基;R4系氢 ;R5系低级烷基;R6系氢;R7系氢 ,原子序不大于35之卤或氰基;及 alk系线性,末端连接羟基-C3-或 C4-系级烷撑,其中自由键乃接在相 对于羟基之碳原子-位置上,及其 和硷反应所形成之盐类。6.根据请求专利部份第1 或2项之制法 ,其特征系制造N-{3-[3-( 4-乙醯-3-羟-2-正丙基苯氧 )-2-羟丙氧]-4-溴-6-甲 苯}-1H-四唑-5-羧醯胺或其 盐类。7.根据请求专利部份第1或2项之制法 ,其特征系制造N-{3-[3-( 4-乙醯-3-羟-2-正丙基苯氧 )-2-羟丙氧]-2-氰苯}-1 H-四唑-5-羧醯胺或其盐类。8.根据请求专利部份第 1或2项之制法 ,其特征系制造N-{3-[3-( 4-乙醯-3-羟-2-正丙基苯氧 )-2-羟丙氧]-6-甲苯}-1 H-四唑-5-羧醯胺或其盐类。9.根据请求专利部份第 1或2项之制法 ,其特征系制造N-{3-[3-( 4-乙醯-3-羟-2-正丙基苯氧 )-2-羟丙氧]-4-氯-6-甲 苯}-1H-四唑-5-羧醯胺或其 盐类。10.根据请求专利部份第1或2项之制法 ,其特征系制造N-{3-[3-( 4-乙醯-3-羟-2-正丙基苯氧 )-2-羟丙氧]-4-氟-6-甲 苯}-四唑-5-羧醯胺或其盐类。11.根据请求专利部 份第1或2项之制法 ,其特征系制造N-{3-[3-( 4-乙醯-3-羟-2-正丙基苯氧 )-2-羟丙氧]-4-氰-6-甲 苯}-四唑-5-羧醯胺或其盐类。12.根据请求专利部 份第1或2项之制法 ,其特征系制造第1至11项任一项所 得之化合物之钠、钾、三乙醇铵、二 乙铵、二乙醇铵或三-(羟甲基)甲 铵盐。 |
