| 发明名称 |
CROSS-COUPLED TRANSISTOR MEMORY CELL FOR MOS RANDOM ACCESS MEMORY OF REDUCED POWER DISSIPATION |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0113867(A3) |
申请公布日期 |
1987.01.28 |
| 申请号 |
EP19830112445 |
申请日期 |
1983.12.10 |
| 申请人 |
GENERAL ELECTRIC COMPANY |
发明人 |
MAZIN, MOSHE;ENGELER, WILLIAM ERNEST |
| 分类号 |
G11C11/411;G11C11/412;H01L27/10;H01L27/108;H01L27/11;(IPC1-7):G11C11/40 |
主分类号 |
G11C11/411 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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