<p>Auf einem Si-Substrat (1) ist eine Si-SiGe-Heterostruktur aufgewachsen. Die SiGe-Schicht (2) befindet sich vorzugsweise in der Generationszone der IMPATT-Diode. Anstatt der SiGe-Schicht (2) ist es außerdem möglich, ein Si/SiGe-Übergitter aufzuwachsen.</p>
