| 主权项 |
1﹒一种放大器装置其构成包括一跨导纳电路 ,此电路有一输入耦合至放大器装置之一 输入,以及一跨阻抗放大器,此放大器有 一输入耦合至跨导纳电路之一输出,以及 一输出耦合至放大器装置之一输出,跨阻 抗放大器之转移函数系数在第一频率F1 以上,具有第一阶之减小,而在第二频率 F2以上,具有第二阶之减小,所述跨阻 抗放大器系利用一负电流回授电路予以负 回授,其特征为该负电流回授电路是由负 回授阻抗组成,其转移函数系数之倒数在 第二频率F2之下小于跨阻抗于大器之转 移函数系数,而该转移函数系放在第三频 率F3以上具有第一阶之增加,使得负回 授跨阻抗放大器之转移函数系数在第四频 率F4以上具有第一阶之减小,该第四频 率实质上等于第三频率F3,而在第五频 率F5以上有第二阶之减小,第五频率是 位于第二频率F2之上,跨导纳电路之转 移函数系数在第六频率F6以上具有第一 阶之增加,第六频率实质上等于第四频率 F4,故放大器装置之转移函数系数在第 五频率F5以上具有第一阶之减小,以及 跨阻抗放大器有一带有一输入阻抗之低欧 姆电流输入,输入阻抗之系数至少对于低 于第五频率F5之频率而言系小于负回授 阻抗之系数。 2﹒根据申请专利范围第1项所述之放大器装 置,其中第二频率F2大约大于第五频率 F5之五分之一。 3﹒根据申请专利范围第1或2项所述之放大 器装置,其中第三频率F3大于第五频率 F5大约五分之一。 4﹒根据申请专利范围第1或2项所述之放大 器装置,其中第三频率F3不大于第二频 率F2。 5﹒根据申请专利范围第1或2项所述之放大 器装置,其中该负回授阻抗包括一电阻器 与一电容器之并联装置。 6﹒根据申请专利范围第1或2项所述之放大 器装置,其中该跨导纳电路包括一电阻器 与一电容器之并联装置。 7﹒根据申请专利范围第1或2项任一项所述 之放大器装置,其中跨导纳电路是一种跨 导纳放大器,该放大器包括一由一电阻器 与一电容器并联装置衰变而成之讯差放大 器。 8﹒根据申请专利范围第1项所述之放大器装 置,其中该跨导纳电路是一跨导纳放大器 ,该放大器包括一互导放大器与一跨电纳 放大器之并联置。 9﹒根据申请专利范围第8项所述之放大器装 置,其中该互导放大器包括由一电阻器衰 变成之讯差放大器以及其特征为该跨电纳 放大器包括由一电容器衰变而成之讯差放 大器。 10﹒根据申请专利范围第1项所述之放大器装 置,其中该跨导纳电路包括调整装置,用 来调整跨导放大器转移函数中之第六频率 F6。 11﹒根据申请专利范围第8项所述之放大器装 置,其中该互导放大器包含调整装置,用 以调整互导放大器转移函内之第六频率F 6。 12﹒根据申请专利范围第10或11项所述之 放大器装置,其中调整装置系利用调整该 电阻器之电阻及/或电容器之电容来构成 。 13﹒根据申请专利范围第11项所述之放大器 装置,其中该调整装置包括第一调整电路 其中可由第一调整电阻器决定依赖跨导纳 放大器输入处之输入电压以及依赖互导放 大器之互导之电流之那一部分系流至跨导 纳放大器之电流输出,以及第二调整电路 ,其中可由第二调整电阻器决依赖跨导纳 放大器输入处之输入电压以及依赖跨电纳 放大器之跨电纳之电流的那一部分系流至 跨导纳放大器之电流输出。 14﹒根据申请专利范围第13项所述之放大器 装置,其中至少其中一个调整电路备有两 个交叉耦合讯差放大器,放大器之一输出 系耦合至跨导纳放大器之一输出,以及该 等放大器之输入系耦合至由一电阻器衰变 而成之另一个讯差放大器之个别的输出, 该另一衰变之讯差放大器之第一输入系耦 合至调整电阻器之扫动触点,而一第二输 入系耦合至一参考电压终端。 15﹒根据申请专利范围第13项所述之放大器 装置,其中该跨阻抗放大器有一输入级, 其构成包括一第一讯差放大器,包含第一 和第二电晶体,第一电晶体的射极耦合至 第二电晶体之射极,以及至第一电流源, 第一电晶体之集极耦合至跨阻抗放大器之 输入,以及第二电晶体之集极系耦合至一 参考电压终端,以及第二讯差放大器,包 含一第三和一第四电晶体,第三电晶体之 射极系耦合至第四电晶体之射极,并至第 二电流源,第三和第四电晶体之基极分别 耦合至第二和第一电晶体之基极和集极, 第四电晶体之集极系耦合至输入级之第一 输出,以及第三电晶体之集极系耦合至输 入级之第二输出。 16﹒根据申请专利范围第1项所述之放大器装 置,其中跨阻抗放大器有一输入级,其构 成包括:第一讯差放大器包含第一和第二 电晶体,第一电晶体之射极系耦合至第二 电晶体之射极,并至第一电流源,第一电 晶体之集极系耦合至跨阻抗放大器之输入 ,以及第二电晶体之集极系耦合至一参考 电压终端,第二讯差放大器,包含第三和 第四电晶体,第三电晶体之射极系耦合至 第四电晶体之射极,并至第二电流源,第 一和第二电晶体之基极分别耦合至第四和 第三电晶体之基极和集极,第五电晶体, 其基极系耦合至跨阻抗放大器之输入,一 射极耦合至第四电晶体之集极,以及一集 极耦合至输入级之第一输出,以及第六电 晶体,其一基极耦合至参考电压终端,一 射极耦合至第三电晶体之集极,以及一集 极耦合至输入级之第二输出。 17﹒根据申请专利范围第15或16项所述之 放大器装置,其中第二电晶体之集极系经 由第三讯差放大器耦合至一参考电压终端 ,此放大器之输出系耦合至第二电晶体之 集极,一反相输入系耦合至跨阻抗放大器 之输入,以及一非反相输入系耦合至该参 考电压端。 18﹒根据申请专利范围第15或16项所述之 放大器装置,其中耦合至跨阻抗放大器输 入级之第一和第二输出之该等集极各利用 一共闸极构形配置之场效电晶体耦合至该 输入级之第一和第二输出。 19﹒根据申请专利范围第15项所述之放大器 装置,其中跨阻抗放大器输入级之第一输 出是耦合至一输出级之第一输入,以及其 特征为跨阻抗放大器输入级之第二输出系 利用电流镜电路耦合至输出级之第二输入 ,该输出级之一输出系耦合至该跨阻抗放 大器之输出。 20﹒根据申请专利范围第19项所述之放大器 装置,其中该输出级是由推挽式放大器组 成。 21﹒根据申请专利范围第20项所述之放大器 装置,其中推挽式放大器之构成包括第一 场效电晶体,其一闸极和一吸极系耦合至 输出级之第二输入,第二场效电晶体,其 闸极耦合至第一场效电晶体之闸极以及其 源极系耦合至该输出级之输出,第三场效 电晶体,其源极系耦合至输出级之输出, 以及其闸极系耦合至该输出级之第一输入 ,以及第四场效电晶体,其源极耦合至第 一场效电晶体之源极以及其闸极和吸极系 耦合至第三场效电晶体之闸极,第一和第 二场效电晶体具有与第三和第四场效电晶 体之导电型式相反之导电型式。 22﹒一种积体放大器电路,其特征为其包括有 适合用作上述申请专利范围任一项所述之 放大器装置之跨导纳电路及/或跨阻抗放 大器。 23﹒根据申请专利范围第22项所述之积体放 大器电路,其中包括一电流倍增电路,用 以将跨导纳电路中之一电流乘以积体放大 器电路中之一电阻器之电阻与该积体放大 器电路外面之一电阻器之电阻之商。 24﹒一种包含一个放大器之显示装置,其特征 为放大器构成一上述申请专利范围任一项 所述之放大器装置。图示简单说明 图1A是一个习知的负回授跨阻抗放大器 之方块概略图, 图1B显示一相关之可能系数以及相位" 波德"图, 图2A是用于依据本发明放大器置中之负 回授跨阻抗放大器之方块概略图, 图2B显示一相关之可能系数以及相位" 波德"图, 图3A是依据本发明放大器装置之方块概 略图,使用图2A之负回授跨阻抗放大器之组 例, 图3B显示一相关之可能系数波德图,使 用图2B之负回授跨阻抗放大器之范例, 图3C显示如同图3A所例示之与本发明 之放大器装置相结合之另一可能的系数和相位 "波德"图, 图4A显示用在依据本发明之放大器装置 中之一简单跨导纳电路, 图4B显示用在依据本发明之放大器装置 中之一跨导纳放大器, 图4C显示─跨导纳放大器,含有简单之 调整电路用以调整其转移函数中第六频率F6 ,而用于依据本发明之放大器装置中, 图4D显示用在依据本发明之放大器接置 中之跨导纳放大器内之一互导放大器,其构成 包括一用以调整跨导纳放大器和电流倍增电路 之转移函数中第六频率F6之调整电路, 图5A显示一负回授跨阻抗放大器其输入 级第一实施例系用在本发明之放大器装置中, 以及 图5B显示图5A所示之跨阻抗放大器之 输入级之第二实施例。 |
