| 主权项 |
1.一种光电装置,其包括: 一区段,其将电流转换成光或将光转 换成电流,该区段包括一半导体材料,让 材料系以扩散系数较锌少之涂敷材料涂敷 ;以及 一基质,其临接该区段,让基质可以 让该区段所发出转换之光通过(透明), 让基质及该区段系从一不透明基质以磊晶 方式成长而成,让不透明基质不能让该区 段所发出或转换之光通过,其中,该区段 系在透明基质成长,按着,让不透明基质 被除去。2.如申请专利范围第1项之光电装置;其中 ,该区段系一发光二极体,其包括一第一 p型层及一第二n型层,二层互相邻接, 让两层之能带差距系使p型层将电流转换 成光并放出光,让p型层系被涂敷剂涂敷 。3.如申请专利范围第2项之光电装置;其中 ,该区段包括一邻近第一p型层之第二p 型层,让第一及第二p型层形成另一异质 接合面,因此,让装置为一双异结构。4.如申请专利 范围第1项之光电装置;其中 ,该不透明基质系由Ga As组成,而该区 段及透明基质系由Al Ga As组成。5.如申请专利范围 第4项之光电装置;该装 置系由液相磊晶过程成长而成,而 Al Ca As系磊晶成长于不透明基质之上以形 成装置,而基质之Al浓度在成长方向渐灭 。6.如申请专利范围第1项之光电装置;其中 ,该涂敷剂系镁。7.如申请专利范围第1项之光电装 置;其中 ,该不透明基质系由Ga As所组成,而区 段与透明基质系由Al In Gap所组成。8.如申请专利 范围第1项之光电装置;其中 ,不透明基质之排差密度少于105/cm2。9.一种成长一 光电装置之方法,其包括: 于一第一基质上磊晶成长一区段,该 区段将电流转换成光或将光转换成电流, 该第一基质对被该区段释出或转换之光为 不透明; 于一第二基质上磊晶成长一区段,让 第二基质对被该区段释出或转换之光为透 明;以及 将该第一基质移去。10.如申请专利范围第9项之方 法;其更包 括: 将该区段以涂敷剂涂敷,该涂敷剂具 有较锌少之扩散系数。11.如申请专利范围第10项 之方法;其中, 成长及涂数之步骤系藉冷却液相磊晶过程 来完成,该过程使用一包含涂敷剂之熔液 。12.一种藉一炉子及至少一熔液成长层状半 导体结构之方法;其包括: 于一炉子中加热一材料至一既定温度 ,以便使该材料熔化以形成至少一第一熔 液; 将一基质放入炉中,使其与第一熔液 接触; 将第一熔液冷却,以便将第一层磊晶 成长于该基质上; 将晶片及第一层从该熔液移离,但不 移出炉子; 将炉内温度提高,以便第一或另一熔 液具有既定之组成;以及 将基质与第一或另一熔液接触以磊晶 成长另一层。13.如申请专利范围第12项之方法;其 中, 让第一层包含一可氧化之成分,该方法另 包括下列步骤: 于将第一层从第一熔液分离后立即将 该第一层与一第二熔液接触; 冷却第二熔液以成长一第二不氧化盖 层于第一层上,以避免第一层于离开第一 及第二熔液后及以后之升温步骤中氧化。14.如申 请专利范围第l2项之方法;其中, 该方法使用配置于炉子之多室滑舟装置, 让多室滑舟装置包括多数用来装盛长熔液 之熔化室,两番层系藉将晶片沿既定方向 滑入小室与成长熔液接触,以成长于基质 上,于接触时炉子持续冷却,而该离开步 骤系藉将具有熔液之小室之沿既定方向之 下一小室持出空间,并将基质及已成长之 层与空室接触。15.一种成长层状半导体结构之方 法,其包 括: 将材料加热至既定温度,以便使材料 形成至少两种熔液; 将一基质与炉中之第一熔液接触; 将溶液冷却,以磊晶成长一第一层于 基质上,让层包括一可氧化成分; 将该基质及第一层移离该第一熔液; 将该第一层与第二熔液接触; 冷却第二熔液,以成长一第二不氧化 盖层于该第一层以防止当第一层从第一熔 液移离时氯化; 将基质与已成长其上之层与第三熔液 接触,该第三熔液之温度足够将第二层熔 化且第三熔液具有既定组成;以及 将第三熔液冷却以成长一第三层于该 第一层上。16.如申请专利范围第15项之方法;其中, 加热及冷却系于一炉子中完成,而让方法 对基质及成长层之处理步骤系在该炉子中 进行。17.如申请专利范围第15项之方法;其中, 成长第一及第二层之加热及冷却系于一炉 子中进行,让方法另包括将基质及第一、 第二层从炉子移出,按着,将基质及第一 、第二层放入加热至原来温度之同一炉子 或另一炉子。18.一种成长n层结构之半导体之方法 ;其 中,n为正整数,其藉具有多数沿一线排 列之多数室的多室装置来达成,让等室用 来保持用以成长n层磊晶层之n种熔液, 让等层藉将一含有基质之舟沿一线推动, 使基质陆绩地与保持于各室之熔液接触, 该方法包括: 将适于产生熔液之适当材料填入n个 小室,且至少有一空室位于成一线之两充 填室之间; 将装置加热,以熔化材料; 沿一线推动冉且于各室停留,使舟及 基质与熔液陆续接触; 当基质与空室前之室中之各熔液接触 时,冷却熔液以将磊晶层成长于基质或先 前已成长之层上; 当基质位于空室时,将空室后之室中 之熔液加热至一既定温度,使熔液具有一 吾人所欲之组成; 推动舟,使晶片与空室后之室中的熔 液接触;以及 将空室后之小室之熔液冷却以便于前 已成长之层上成长一磊晶层,其中,第二 加热步骤改变熔液之组成,以便当基质及 任何前已成长之层与空室后之小室的焙液 接触时,磊晶层之厚度增加。19.如申请专利范围第 18项之方法;其中, 当基质及任何前已成长之层与空室前之小 室的熔液接触时,让熔液之第一冷却步骤 产生一非氧化盖层,以防止当下一加热步 骤时前已成长之层不致气化。20.如申请专利范围 第19项之方法;其更包 含于第二冷却步骤前加热位于空室后方之 室的熔液,以便于下层成长前熔化该非氧 化盖层。图示简单说明: 第l图系习知之透明基质光电装置的 断面图。 第2图系依据本发明之逆转透明基质 光电装置之断面图。 第3A图显示习知之单一温度循环中 于液相磊晶反应器中用来成长多层结构之 滑动舟装置之图式。 第3B图颗示第3A图之习知的单一 温度周期之冷却速率的图式。 第4A图显示依据本发明之反覆温度 循环中于液相磊晶反应器中用来成长多层 结构之滑动舟装置的图式。 第4B图显示第4B图之反覆温度周 期之冷却速率。 第5图显示一双异质接合之LED的光 学装置之例子。 第6A图颗示用来成长第5图之光学 装置的多层结构之滑动舟装置。 第6B图显示第6A图之装置的冷却 速率。 |
