一种制备低碳含量之二醯亚胺矽之方法

摘要

本发明系揭示一种制备低碳含量之二醯亚胺矽之方法，其是在压力下，将氨与用烃类稀释之氯化矽烷反应，此方法是在质量流量密度高于100kg／㎡s下完成，反应温度至少为５℃，产物在至少100℃下，于真空中乾燥。

主权项

1﹒一种制备低碳含量之二醯亚胺矽之方法,其是将氨在压力下与用甲苯稀释,其通式SiHnCl4─n之氯化矽烷反应,其中n是0,1,2或3,其特征在(a)将含甲苯之液态氯化矽烷混合液,在质量流量密度为1000至4000kg/m^2s(活@蛫鴭韝J口截面)下,导入含有液态氨之反应容器,(b)在1╮@秘隃悻砭J温度下,反应得到二醯亚胺矽,及(c)经液态氨冲活@~后,在100至160℃,于真空中,将二醯亚胺矽乾燥。