| 主权项 |
1﹒一种薄膜MOS电晶体其包含有:位于基板上的第一闸极;位于前第一闸极上的半导体作用层隔着第一绝源层与第一闸极相对并在其上定义有源极,汲极和通道区域,前述通道区域被强制于前述源极和汲极区域之间,而且作用层的厚度在少于或等于100nm的范围;位于前述作用层之上的第二闸极隔着第二绝源层与作用层相对;其中前述第二绝缘层比第一绝缘层薄。2﹒如申请专利范围第1项所请薄膜MOS电晶体,其中前述第一和第二闸极和前述作用层上的前述通道在安排的位置上有相当的对准。3﹒如申请专利范围第1项所请薄膜金氧半电晶体,其中前述作用层是由多晶矽所制成的。4﹒如申请专利范围第1项所请薄膜MOS电晶体,其中前述第一和第二闸极是安排在前述作用层相对的两边。5﹒如申请专利范围第1项所请薄膜MOS电晶体,其中前述第一闸极安排的方式使它所形成的输入电容要相当小于前述第二闸极所形成者。6﹒如申请专利范围第1项所请薄膜MOS电晶体,其中前述第一闸极有一第一闸极长度,它小于前述第二闸极所拥有的第二闸极长度。7﹒如申请专利范围第6项所请薄膜MOS电晶体,其中前述第二绝源层比前述之第一绝源层薄。8﹒如申请专利范围第6项所请薄膜MOS电晶体,其中前述第一和第二闸极和前述作用层上的前述通道区域有相当的对准。9﹒如申请专利范围第6项所请薄膜MOS电晶体,其中前述之作用层是由多晶矽制成的。10﹒如申请专利范围第6项所请薄膜MOS电晶体,其中前述第一和第二闸极是安排在前述作用层相对的两边。11﹒如申请专利范围第6项所请薄膜MOS电晶体,其中前述第一闸极安排的方式使它所形成的输入电容要相当小于前述第二闸极所形成者。12﹒一种薄膜MOS电晶体包含有:位于基板上的第一闸极,其具一第一闸极长度;与前述第一闸极相对的位置有第二闸极,其具一长于第一闸极长度的第二闸极长度,前述第二闸极与前述第一闸极在排列上有相当的对准;和介于第一和第二闸极间有一半导体作用层其上定义有源极,汲极和通道区,前述之通道区被定义于前述源极和汲极区之间并且隔着第一绝源层与第一闸极相对,隔着第二绝源层和第二闸极相对,前述的作用层厚度在少于或等于100nm的范围。13﹒如申请专利范围第12项所请薄膜MOS电晶体;其中前述第一绝源层比前述第二绝源层厚。14﹒如申请专利范围第12项所请薄膜MOS电晶体,其中前述第一和第二闸极和前述作用层上的前述通道有相当的对准。15﹒如申请专利范围第12项所请薄膜MOS电晶体,其中前述之作用层是由多晶矽制成的。16﹒如申请专利范围第12项所请薄膜MOS电晶体,其中前述之第一和第二闸极是安排在前述作用层相对的两边。17﹒如申请专利范围第12项所请薄膜MOS电晶体,其中前述第一闸极安排的方式使它形成的输入电容要相当小于前述第二闸极所形成者。18﹒一种薄膜MOS电晶体包含有:位于基板上的第一闸极,其具一闸极长度;与前述第一闸极相对的位置有第二闸极,其具一长于第一闸极长度的第二闸极长度,前述第二闸极与前述第一闸极在排列上有相当的对准;和介于第一和第二闸极间有一半导体作用层其上定义有源极,汲极和通道区,前述之通道区被定义于前述源极和汲极区之间并且隔着第一绝源层与第一闸极相对,隔着第二绝源层和第二闸极相对。19﹒如申请专利范围第18项所请薄膜MOS电晶体;其中前述第一绝源层比第二绝源层厚。20﹒如申请专利范围第19项所请薄膜MOS电晶体;其中前述第一和第二闸极和前述作用层上的前述通道区有相当的对准。21﹒如申请专利范围第20项所请薄膜MOS电晶体,其中前述作用层是由多晶矽制成的。22﹒如申请专利范围第21项所请薄膜MOS电晶体,其中前述之第一和第二闸极是安排在前述作用层相对的两边。23﹒如申请专利范围第22项所请薄膜MOS电晶体,其中前述之第一闸极安排的方式使它所形成的输入电容要相当小于前述第二闸极所形成者。24﹒如申请专利范围第23项所请薄膜MOS电晶体,其中前述之作用层的厚度在小于或等于100nm的范围。图示简单说明图1是传统MOS电晶体的能阶图;图2是根据本发明的薄膜MOS电晶体之第一种发明具体实施例系所呈现的剖面图。图3是显示MOS电晶体中作用层厚度与汲极电流的关系。图4是图1MOS电晶体第一种发明具体实施例的能阶图。图5是根据此发明的薄膜金氧半电晶体之第二种发明具体实施例的剖面图。 |
