| 主权项 |
1﹒一种电子元件的介电载体,包含由两种或多种已开环可聚合之原冰片烯类单体经本体聚合而得的共聚物;该原冰片烯类单体可选自下列化学式为I及ii的单体:其中n为1至10,R及R1为(1)分别选自氢,1至12个碳原子的烷基,2至12个碳原子的烯基,6至20个碳原子的环烷基及6至20个碳原子的芳基或(2)R及R1与其所连接之两个环碳原子结合以形成含4至7个碳原子之饱和或未饱和的环基,及至少约5重量%及高至约100重量%的该共聚物为化学式n及皿的原冰烯类单位。2﹒如申请专利范围第1项之做为电子元件的介电载体,其为电路板形状。3﹒如申请专利范围第1项之做为电子元件的介电载体,其中(I)化学式的R或R1提供具2至4个碳原子烷烯基的单未饱和基及6至20个碳原子的环烷基或(2)R及R1与其所连接的两个环碳原子结合形成4至7个碳原子的单未饱和环基。4﹒如申请专利范围第3项之做为电子元件的介电载体,其中的共聚物由R及P1。的单未饱和基交联而成。5﹒如申请专利范围第1项之做为电子元件的介电载体,其中至少25重量%的可聚合原冰片烯类单体为二环戊二烯。6﹒如申请专利范围第5项之做为电子元件的介电载体,其中原冰片烯类的单体系选自甲基原冰片烯,甲基四环十二烯,四环十二烯,二环戊二烯,乙叉原冰片烯,二氢二环戊二烯,三环戊二烯及四环戊二烯所组成基团。7﹒如申请专利范围第1项之做为电子元件的介电载体,其中的共聚物经过交联,而原冰片烯类单体包含50至95重量%的二环戊二烯。8﹒如申请专利范围第7项之做为电子元件的介电载体,其中包含至少10重量%属化学式皿的原冰片烯类单体,其n为1至6,而R及R1与其所连接之环碳原子结合成5个碳原子的单未饱和环基。9﹒如申请专利范围第1项之做为电子元件的介电载体,其中的共聚物系由无卤素触媒/共触媒系统经本体聚合而成。10﹒如申请专利范围第9项之做为电子元件的介电载体,其中无卤素触媒系选自三癸基铵钼酸盐,三癸基铵钨酸盐,甲基三辛基铵铝酸盐,甲基三辛基铵钨酸盐,三(三癸基)铵钼酸盐,三辛基铵钼酸盐及三辛基铵钨酸盐所组成基团,该卤素助触媒包括有机铝化合物,系选自三─(C2─C2)烷基铝及(C2─C4)烷基铝的氢化物所组成基团。11﹒如申请专利范围第9项之做为电子元件的介电载体,为电路板时系实质地不含卤素。12如申请专利范围第1项之做为电子元件的介电载体,其中的共聚物系以无卤素触媒及含卤素之助触媒成份经本体聚合而得。23﹒如申请专利范围第10项之做为电子元件的介电载体,其中无卤素助触媒另外包含改质剂,其系选自双(三烷基锡)氧化物(具2至4个碳原子的烷基),双(三烷基锡)氧化物,三─正丁基乙氧基锡,4─异丁基的及2,6─二─第四丁基酚所组成基团。 |
