发明名称 采用超导材料的电子器件
摘要 叙述了一种新型的超导电子器件。在介绍中,根据本发明制造一种场效应半导体器件。在该半导体器件的源区和漏区上淀积上超导陶瓷材料,其间夹有绝缘膜,起隧道电流膜的作用。
申请公布号 CN1014382B 申请公布日期 1991.10.16
申请号 CN88106274.X 申请日期 1988.08.24
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 山崎舜平
分类号 H01L39/22 主分类号 H01L39/22
代理机构 中国专利代理有限公司 代理人 肖掬昌;曹济洪
主权项 1.一种具有陶瓷半导体材料的电子器件,它包括:一对由陶瓷超导材料组成的电极;一半导体层,设置在一对所说电极之间,其长度不超过1微米;一绝缘薄膜,设置在所说半导体层之上;以及一控制电极,形成在所说绝缘层上,其特征在于,所说电极对的每一电极与所说半导体层之间插置有一阻挡层,它们通过这阻挡层互相接触并通过这阻挡层可使隧道电流流过。
地址 日本神奈川县