发明名称 | 采用超导材料的电子器件 | ||
摘要 | 叙述了一种新型的超导电子器件。在介绍中,根据本发明制造一种场效应半导体器件。在该半导体器件的源区和漏区上淀积上超导陶瓷材料,其间夹有绝缘膜,起隧道电流膜的作用。 | ||
申请公布号 | CN1014382B | 申请公布日期 | 1991.10.16 |
申请号 | CN88106274.X | 申请日期 | 1988.08.24 |
申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平 |
分类号 | H01L39/22 | 主分类号 | H01L39/22 |
代理机构 | 中国专利代理有限公司 | 代理人 | 肖掬昌;曹济洪 |
主权项 | 1.一种具有陶瓷半导体材料的电子器件,它包括:一对由陶瓷超导材料组成的电极;一半导体层,设置在一对所说电极之间,其长度不超过1微米;一绝缘薄膜,设置在所说半导体层之上;以及一控制电极,形成在所说绝缘层上,其特征在于,所说电极对的每一电极与所说半导体层之间插置有一阻挡层,它们通过这阻挡层互相接触并通过这阻挡层可使隧道电流流过。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |