| 主权项 |
1.一种正型光敏性树脂组成物,此组成物包含有:(i) 100 重量份之聚合度为5-500的聚笨并 唑前驱动(D),其系 将 具有下列化举式[I],[E]及[Ⅲ]所代表的基团的单 体(A),(B)及(C)聚合而成,式中,Ar1示二价芳香族基或 杂环残基团,其系自对 酸,异 酸, 啶二羧畯或二笨 醚二羧酸移除二羧基而获得,式中,Ar2示四价芳香 族残 基,其系自六氟-2,2-双(3-氨基-4-羧基苯基)丙烷,3, 31-二羟基-4,41-二氨基二苯基醚或三羟基联苯胺移 除两 个羟基及两个氨基而获得,-NH-AR3-NH- [III] 式中,Ar3示二价芳香族,脂环族,含矽脂团或脂肪残 基 ,其系自1,3-双(-氨基丙基)-1,1,3,3-四甲基矽氧 烷,1,3-双(3-氨基苯氧基)***苯,二氨基二环己基甲烷 ,六亚甲基二胺或由化学式[XXX](请见新实施例17)所 代表矽二胺移除两个氨基而获得,其比例需符合下 式:(A )/[(B)+(C)]=0.9-1.1式中,(B)示10-100莫耳%,且(C) 示0-90莫耳%,而(B)及(C)的总量为100莫耳%,(ii)1-200 份重的至少一种可熔于有机溶剂中的具有芳香族 基且/或 杂环基的聚合物或其前趋体(E),聚合物系选自聚醯 亚胺 ,聚苯并咪唑,及聚苯并 唑,以及(iii)10-100份重的 由重氮酸化合物(F)及/或二氢 啶化合物(G)所组成 的光 敏剂,该重氮 化合物(F)由下列化学式[VI]至[IX] 中任一者所代表:式中,Q1至Q4各为氢原子式1,2-二叠 氮基-5-磺醯基且Q1至Q4之至少三者为1,2- 二叠氮 基-5-磺醯基,式中,Q5至Q6各为氢原子或1,2-二叠氮-5 -磺醯基,且该二羟 啶化合物(G)由下列化学式[X]至 [XI]之任一者所代表2.如申请专利范团第1项的正型 光敏性树脂组成物,其中 ,聚苯并 唑前驱体(D)得二羧酸或其氯化物或其酯 及芳 香族二羟基二胺化合物之缩合物。3.如申请专利 范团第1项的正型光敏性树脂组成物,其中 ,一羧酸为至少一种选自对笨二甲酸,间苯二甲酸 及4,4 -'-二苯基醚二羧酸中的二羧酸。4.如申请专利范 围第2项或第3项的正型光敏性筒脂组成物 ,其中,二羟基二胺化合物为至少一种选自六氟-2,2- 双 (3-胺基-4-羟基苯基)丙烷,3,3'-二羟基联苯胺及3,3 ,-二羟基-4,4'-二胺基二苯基醚中的二羟基二胺化 合物 。5.如申请专利范围第1项或第2项的正型光敏性树 脂组成物 ,其中,有机溶剂可溶性聚合物或其前驱体(E)示聚 醯胺 酸polyamic acid。6.如申请专利范围第1项或第2项的 正型光敏性树脂组成物 ,其中,具有芳香族基团及/或杂环基团的有机溶剂 可熔 性聚合物或其前驱体(E)在其上键结由下式通式(Ⅳ )所代 表的聚矽氧烷单元其中,R1至R2分别示具有1至3个碳 原子 的亚烷基,R3至R6分别示甲基,且k示1至9的整数。7. 如申请专利范团第5项之正型光敏性树脂组戒物, 其中 ,聚胺酸为由下列通式(V)所代表的聚醯胺酸其中,n 示1- 9的整数,而m示10-70之整数。8.一种由下列化学式[ XXII]所代表的重氮化合物。9.一种由下列化学式[ XXVⅡ]所代表的重氮 化合物。10.一种由下列化学 式[XXIV]所代表的重氮 化合物。11.一种由下列化学 式[XXX]所代表的重氮 化合物。12.一种正型光敏性 树脂组成物,其含有100份重之硷溶液 可溶性聚合物或其前驱体(J)及10至100份重之如申 请专利 范团第8-11项中住何一项之重氮 化合物(F)。13.一 种正型光敏性树脂组成物,其含有100份重之如申请 专利范团第1项的聚苯并 唑前驱体(D)以及10至100份 重 之如申请专利范围第8至11项中任一项的重氮 。14. 如申请专利范团第13项之正型光敏性树脂组成物, 其 中之Ar3基为具有下面通式(Ⅳ)所代表之矽氧烷化 合物基 团:其中之R1至R2分别为具有1至3个碳原子的亚烷基 ,R3 至R6分别为甲基,k为1-9之整数,且含有Ar3基的基围( Ⅲ )之单体(C)是2-20莫耳%。15.如申请专利范团第1项之 正型光敏性树脂组成物,其中 之聚苯并 唑前驱体(D)为得(a)包括对苯二甲酸或氯 化对 苯二甲酸及间苯二甲酸或氯化间苯二甲酸之二羧 酸以及(b )六氟-2-2'-双(3-胺基-4-羟基苯基)丙烷,有机溶剂可 熔 性聚合物前驱体(E)为具有通式(V)之聚醯胺酸,而重 氮 化合物系由化学式[XXⅡ]或[XXVⅡ]所代表。16.一种 正型光敏性树脂组成物,其含有:聚合度为5-500 之含有光敏性基团的苯并恶唑前驱体(T),其为得自 单体( A),(S)及(C)聚合而成,而(A),(S),(C)为分别具有下 式(Ⅰ),(XV)及(Ⅲ)者:其中之Ar1为二价之芳香族或杂 环残基团,其定义于申请专利范围第1项中其中Ar4 为四价 之芳香族残基,其定义如申请专利范团第1项之Ar2 者, 1为0-2之整数, 2为1-2之整数,且 1与 2之和为2, 而Q为其中之Ar3为如申请专利范围第1项的二价之 芳香族 ,脂环族,含有矽脂的或脂肪族残基团,其比率需符 合下 式:(A)/[(S)+(C)]=0.9-1.1其中(S)为10-100莫耳百分 率,而(C)为0-90莫耳百分率,且(S)与(C)之和为100莫耳 百分率。17.如申请专利范团第16项之正型光敏性 树脂组成物,其 中于单体(S)中OQ基团之数目的部分为OQ基团与OH基 团之 总数目的5-40%,亦即[(OQ基团之数目)/(OH基团之数目+ OQ基团之数目)]100=5-40%。18.如申请专利范团第16或 17项之正型光敏性树脂组成物 ,其中之Ar3为下面通式(V)所代表之矽氧烷化合物基 团其 中之R1至R2分别为具有1至3个碳原子的亚烷基,R3至R 6分 别为甲基,k为1-9之整体,且含有Ar3基的基团(Ⅲ)之 单 体(C)是2-20莫耳%。19.如申请专利范围第16或17项之 正型光敏性树脂组成物 ,其含有100份重之含有光敏性基团之聚笨并 唑前 驱体( T)及1-200份重之至少一种有芳香族基团及/或杂环 基团 或其前驱体(E)有机溶剂可熔性聚合物,该聚合物系 选自 聚亚醯胺,聚苯并 唑(polybenzoimidazole),及聚苯并 唑(polybenzothiazole)。20.一种形成耐热性树脂模样之 方法,其为将一种如申请 专利范围第1-7项及12-17项中之正光敏性树脂组成 物涂覆 于一基材上使形成一膜层,再,然后再行热处理。21 .如申请专利范围第20项之方法,其中之正光敏性树 脂 组成物为溶解于有机溶剂之熔液中,以之提供于基 材上以 形成膜层。22.如申请专利范围第21项之方法,其中 之有机溶剂为N- 甲基-2- 咯酮,二甲基乙二醇,N,N-二甲基乙醯胺或其 混合物。 21.如申请专利范围第20-22项中任何一项之方法,其 中之 将膜层经过遮蔽再曝光或直接曝光,再将所得之膜 层令其 显影成模样之显影系以水性硷性溶液为之。 24.如申请专利范围第23之方法,其中之水性硷性熔 液含 有至少一种选自钙化合物及钡化合物之化合物。 25.如申请专利范围第20,21或22项中之方法,其中之 基 材系由金属,塑胶,矽脂,氮化矽,氧化矽,陶瓷,半导 体元素或半导体物质所制成者。 26.一种半导体装置,其为由涂覆有如申请专利范围 第1-7 及12-19项中任何一项之光敏性树脂组成物之半夥 体元件 表面上,其经曝光后使其显像形成模样后然后再将 该模样 加热硬化使其接着于于半导体元件表面上者。 27.一种多层绕线之半导体装置,其为由重复下述之 程序 所制得者:涂覆有如申请专利范团第1-7及12-19项中 任何 一项之光敏性树脂组成物至半导体元件之表面上, 经曝光 厚使其显影形成模样然后再将该模样加热硬化,再 将半导 体电路绕线,再将该线路与其下方之导体层连接。 28.一种多层绕线之半导体装置,其为由重复下述之 程序 所制得者:使用如申请专利范围第1-7及12-19项中之 任何 一项之光敏性树脂组成物于一矽或铝氧基材上形 成模样以 制得一绝缘层,然后将一导体电路绕线,再将该线 路与其 下方之导体层连接,并将所生成物件与一半导体元 件相连 |
