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发明名称 FIELD-EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPH0521471(A) 申请公布日期 1993.01.29
申请号 JP19910170790 申请日期 1991.07.11
申请人 NEC CORP 发明人 NEGISHI HITOSHI
分类号 H01L29/812;H01L21/338;H01L29/778 主分类号 H01L29/812
代理机构 代理人
主权项
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