| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FOR SELECTIVE GROWTH OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN-FILM AND FORMING METHOD FOR ITS SUBSTRATE AND THIN FILM |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH06104189(A) |
申请公布日期 |
1994.04.15 |
| 申请号 |
JP19920273703 |
申请日期 |
1992.09.17 |
| 申请人 |
NIPPON TELEGR & TELEPH CORP <NTT> |
发明人 |
KONDO SUSUMU;NOGUCHI ETSUO |
| 分类号 |
H01L21/205;H01S5/00;(IPC1-7):H01L21/205;H01S3/18 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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