| 摘要 |
1. Напряженная полупроводниковая гетероструктура (10), содержащаяинжекционную область, включающую первый эмиттерный слой (11), имеющий проводимость р-типа, и второй эмиттерный слой (12), имеющий проводимость n-типа,слой (13) генерации света, расположенный между первым эмиттерным слоем (11) и вторым эмиттерным слоем (12), причем ширина запрещенной зоны указанного слоя генерации света меньше ширины запрещенной зоны первого и второго эмиттерных слоев;область (14) захвата электронов, расположенную между слоем (13) генерации света и вторым эмиттерным слоем (12) и содержащую слой (16) захвата, расположенный рядом со вторым эмиттерным слоем, и ограничительный слой (15), расположенный рядом с указанным слоем захвата электронов, причем ширина запрещенной зоны указанного ограничительного слоя больше, чем ширина запрещенной зоны слоя генерации света, ширина запрещенной зоны указанного слоя захвата меньше, чем ширина запрещенной зоны ограничительного слоя, а наинизший уровень энергии для электронов в слое захвата лежит выше соответствующего уровня в слое генерации света; отличающаяся тем, что толщины и материалы ограничительного слоя (15) и слоя (16) захвата выбраны так, что разность энергий между одним из локальных уровней энергии для электронов в слое (16) захвата и дном зоны проводимости второго эмиттерного слоя (12) равна энергии оптического фонона.2. Напряженная полупроводниковая гетероструктура (10) по п.1, отличающаяся тем, что концентрация электронов во втором эмиттерном слое (12) подобрана равной произведениюконцентрации дырок в первом эмиттерном слое (11),отношения коэффициента диффузии для дырок во втором эмиттерном слое (12) и коэффи |
