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Eine SiC-Halbleitervorrichtung umfasst Folgendes: ein SiC-Substrat (1); eine SiC-Drift-Schicht (2) an dem Substrat (1), die eine niedrigere Störstellenkonzentration aufweist als das Substrat (1); ein Halbleiterelement (10) in einem Zellbereich der Drift-Schicht (2); eine Außenumfangsstruktur (6, 7), die in einem Oberflächenabschnitt der Drift-Schicht (2) eine RESURF-Schicht (6) aufweist und den Zellbereich umgibt; und eine Schicht (8) zur Relaxation eines elektrischen Feldes in einem anderen Oberflächenabschnitt der Drift-Schicht (2), so dass die Schicht (8) zur Relaxation eines elektrischen Feldes von der RESURF-Schicht (6) getrennt ist. Die Schicht (8) zur Relaxation eines elektrischen Feldes ist an einer Innenseite der RESURF-Schicht (6) derart angeordnet, dass sie sich in dem Zellbereich befindet. Die Schicht (8) zur Relaxation eines elektrischen Feldes ist ringförmig.
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