Dielektrische Schicht sowie Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Schicht

摘要

Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Schicht 13 auf einem Substrat 23, wobei die dielektrische Schicht 13 in einer Prozessatmosphäre abgeschieden wird, wobei die Prozessatmosphäre zu einem ersten Zeitpunkt eine erste Ausgangskomponente, zu einem zweiten Zeitpunkt eine zweite Ausgangskomponente und zu einem dritten Zeitpunkt eine dritte Ausgangskomponente aufweist und wobei die dritte Ausgangskomponente ein Halogen umfasst.