| 摘要 |
<p>Verfahren zum Profilieren des Umfangsrandes einer Halbleiterscheibe, gekennzeichnet durch folgende Schritte: die Halbleiterscheibe wird auf in Umfangsrichtung der Halbleiterscheibe beabstandeten Auflagerpunkten nahe dem Umfangsrand aufgelagert mit Hilfe von mindestens zwei Lasern oder zwei mit mindestens einem Laser gekoppelten Linsensystemen, die am Umfang der Halbleiterscheibe angeordnet sind, werden Laserstrahlen auf den Umfangsrand gerichtet die Laser oder Linsensysteme und die Halbleiterscheibe werden relativ zueinander um das Zentrum der Halbleiterscheibe gedreht und die Laser oder Linsensysteme werden in einer Ebene senkrecht zur Rotationsachse bewegt derart, dass Abschnitte des Umfangsrandes zwischen den Auflagerpunkten durch Laserbestrahlung profiliert werden anschließend werden die Auflagerpunkte an der Halbleiterscheibe verändert und die restlichen Randabschnitte des Umfangsrands profiliert und während der Profilierung wird der Auftreffpunkt der Laserstrahlen auf dem Umfangsrand mit einem Fluid gekühlt.</p> |
