| 发明名称 | 用于改善特征线宽均匀性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于改善特征线宽均匀性的方法，涉及半导体器件制造工艺。现有的0.15微米以下的刻蚀制程存在特征线宽均匀度较低的问题，影响了产品的良率。本发明的方法包括：采用一组光刻参数对一批测试晶圆进行光刻并执行显影和刻蚀工序；在各片测试晶圆上选取若干个点，通过测量每个点刻蚀前后的特征线宽得到一组特征线宽的偏移量；根据特征线宽偏移量在一片晶圆上的分布情况计算光刻参数的补偿值；采用补偿后的光刻参数对后续的晶圆进行光刻，并执行显影和刻蚀工序。本发明的方法通过计算光刻参数的补偿值，能对后续刻蚀中可能产生的偏差进行预修正，从而得到特征线宽均匀性较好的晶圆，提高产品的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN101290475A | 申请公布日期 | 2008.10.22 |
| 申请号 | CN200710039786.8 | 申请日期 | 2007.04.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 任连娟;牟睿 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01);H01L21/027(2006.01);H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | G03F7/20(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 1、一种用于改善特征线宽均匀性的方法，其特征在于，包括下列步骤：a.采用一组光刻参数对一批测试晶圆进行光刻，并执行显影和刻蚀工序；b.在刻蚀后的各片测试晶圆上选取若干个点，通过测量每个点刻蚀前后的特征线宽值得到一组特征线宽的偏移量；c.根据所述的特征线宽偏移量的统计分布情况计算光刻参数的补偿值；d.采用补偿后的光刻参数对后续的晶圆进行光刻，并执行显影和刻蚀工序。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江路18号 | ||