| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 其中具有熔丝结构或电极焊盘结构的本发明的半导体器件及其制造方法抑制了含铜的金属膜的铜熔断。该半导体器件包括硅衬底、布置在硅衬底上的SiO<SUB>2</SUB>膜、嵌入在SiO<SUB>2</SUB>膜中的铜膜、覆盖铜膜的顶面和SiO<SUB>2</SUB>膜之间的边界区域的顶面的TiN膜、以及覆盖TiN膜的顶面的SiON膜。 | ||
| 申请公布号 | CN100428461C | 申请公布日期 | 2008.10.22 |
| 申请号 | CN200510055136.3 | 申请日期 | 2005.03.17 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 竹肋利至;渡边麻里 |
| 分类号 | H01L23/52(2006.01);H01L23/532(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L23/52(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德俊;陆弋 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；布置在所述半导体衬底上的第一绝缘膜；嵌入在所述第一绝缘膜中的含铜的金属膜；覆盖所述含铜的金属膜的顶部和所述含铜的金属膜与所述第一绝缘膜之间的边界部分区域的顶部的含耐熔金属的膜；以及仅覆盖所述含耐熔金属的膜的顶面的第二绝缘膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||