发明名称 |
利用长程溅射制作液晶取向膜的方法 |
摘要 |
本发明提供一种利用长程溅射制作液晶取向膜的方法,其包括将一基底置于一反应室内的一基底乘座上,再利用一高密度等离子体轰击设于基底上方的一靶材,以产生一溅射物质,同时于反应室内提供一偏压,以使溅射物质提供一近似垂直的溅射方向,且溅射物质依此溅射方向沉积于基底表面以形成一液晶取向膜,其中靶材与基底间的距离大于20厘米。 |
申请公布号 |
CN100427639C |
申请公布日期 |
2008.10.22 |
申请号 |
CN200510074786.2 |
申请日期 |
2005.06.03 |
申请人 |
联诚光电股份有限公司 |
发明人 |
官大双;张逸明;林佳德;詹佳璁 |
分类号 |
C23C14/34(2006.01);C23C14/06(2006.01) |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
1.一种利用长程溅射制作液晶取向膜的方法,该方法包括:将一基底置于一反应室内的一基底乘座上;利用一高密度等离子体轰击设于该基底上方的一靶材,以产生一溅射物质;以及于该反应室内提供一偏压,以使该溅射物质提供一近似垂直的溅射方向,且该溅射物质依此溅射方向沉积于该基底表面以形成一液晶取向膜;其中该靶材与该基底间的距离大于20厘米。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区 |