发明名称 | 一种叠层高效纳米硅薄膜太阳能电池 | ||
摘要 | 本发明为一种叠层高效纳米硅薄膜太阳能电池。其光热稳定性好,转换效率高,稳定性、可靠性较好,生产成本低。其包括材质为玻璃或有机薄膜的电池底层(1),底层(1)设置有PIN结构,所述PIN结构包括导电膜(2),在导电膜(2)上生长一层掺硼的P型非晶硅薄膜(3),改变薄膜的晶态比值χc制成变带隙纳米硅缓冲层(4),在变带隙缓冲层(4)上通以磷烷(PN<SUB>3</SUB>)生长一层N型纳米硅薄膜(5),硅薄膜(5)上覆盖电极Ag/Al,其特征在于:变带隙纳米硅缓冲层(4)的晶态比值χc为40-53,所述PIN结构叠加,位于最底层的PIN结构导电膜(2)覆盖于底层(1),电极Ag/Al覆盖于位于最顶层的PIN结构的硅薄膜(5)。 | ||
申请公布号 | CN101290952A | 申请公布日期 | 2008.10.22 |
申请号 | CN200810024201.X | 申请日期 | 2008.05.20 |
申请人 | 无锡市纳微电子有限公司 | 发明人 | 王树娟;何宇亮 |
分类号 | H01L31/075(2006.01) | 主分类号 | H01L31/075(2006.01) |
代理机构 | 无锡盛阳专利事务所 | 代理人 | 顾吉云 |
主权项 | 1、一种叠层高效纳米硅薄膜太阳能电池,其包括材质为玻璃或有机薄膜的电池底层(1),底层(1)设置有PIN结构,所述PIN结构包括导电膜(2),在导电膜(2)上生长一层掺硼的P型非晶硅薄膜(3),改变薄膜的晶态比值xc制成变带隙纳米硅缓冲层(4),在变带隙缓冲层(4)上通以磷烷(PN3)生长一层N型纳米硅薄膜(5),硅薄膜(5)上覆盖电极Ag/Al,其特征在于:变带隙纳米硅缓冲层(4)的晶态比值xc为40-53,所述PIN结构叠加,位于最底层的PIN结构导电膜(2)覆盖于底层(1),电极Ag/Al覆盖于位于最顶层的PIN结构的硅薄膜(5)。 | ||
地址 | 214028江苏省无锡市新区长江路7号 |