化学增强的封装单分方法

摘要

通过掩模图案化及化学曝露与物理锯割相结合来实现对制作成一共用基质一部分的各个电子封装的单分(singulation)。在根据本发明的单分方法的一个实施例中，在所述基质的封装间区域内锯出一初始的浅锯口便会使下面的金属经受后续的化学蚀刻步骤。在一替代实施例中，可在所述基质上对一单独的光阻剂掩模进行图案化以有选择地使封装间区域中的金属经受化学蚀刻。

主权项

1、一种封装单分(singulation)方法，其包括：对掩模进行图案化以曝露出共同制成的封装基质的封装间区域；通过化学曝露来移除所述封装间区域中的金属；并随后通过物理锯割来移除所述封装间区域中的剩余材料。